Sumbangan 15 hb September 2024 – 1 hb Oktober 2024
Mengenai pengumpulan sumbangan
carian buku
buku
Sumbangan:
71.7% dicapai
Log masuk ke
Log masuk ke
pengguna yang dibenarkan mempunyai akses kepada:
cadangan peribadi
Bot Telegram
sejarah muat turun
menghantar ke E-mel atau Kindle
pengurusan senarai buku
penyimpanan ke favorit
Peribadi
Permintaan buku
Penelitian
Z-Recommend
Senarai buku
Yang paling popular
Kategori
Penyertaan
Menyokong
Muat naik
Litera Library
Menyumbangkan buku kertas
Menambahkan buku-buku kertas
Search paper books
LITERA Point saya
Carian kata kunci
Main
Carian kata kunci
search
1
Комментарий к ФЗ О социальных гарантиях и компенсациях военнослужащим, проходящим военную службу в воинских формированиях РФ, дислоцированных на территориях Республики Белоруссия, Республики Казахстан и Киргизской Республики, а также лицам...
Юстицинформ
Петров М.И.
российской
федерации
воинских
республики
казахстан
обороны
вооруженных
территории
службы
военной
военнослужащих
службу
военнослужащим
военную
формирований
персонала
соответствии
управления
труда
органов
гражданского
министерства
частей
военного
полигона
должности
воинские
порядке
состав
войск
лиц
белоруссия
безопасности
начальник
обеспечения
формированиях
законом
воинской
заместитель
местностях
оплаты
министерством
законодательством
киргизской
контракту
федерацией
дислоцированных
лицам
территориях
условиях
Tahun:
2009
Bahasa:
russian
Fail:
PDF, 564 KB
Tag anda:
0
/
0
russian, 2009
2
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы
ЭБС Лань
Байдусь Н.В.
,
Звонков Б.Н.
слоя
роста
inas
островков
gaas
поверхности
энергии
гетероструктур
подложки
покровного
рис
массива
островка
поверхностной
квантовых
размера
квантовыми
слой
точек
энергию
точками
потоке
процессе
размер
т.е
температура
выращивания
дефектов
материала
методом
образования
образцы
размерам
росту
упругой
энергия
гетероструктурах
гетероструктуры
изменение
кластеров
легирования
механизму
мос
примесей
путем
самоорганизации
системы
слоев
температуре
формирования
Tahun:
2001
Bahasa:
russian
Fail:
PDF, 503 KB
Tag anda:
0
/
4.5
russian, 2001
3
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы
ЭБС Лань
Коллектив авторов
слоя
роста
inas
островков
gaas
поверхности
энергии
гетероструктур
подложки
покровного
рис
массива
островка
поверхностной
квантовых
размера
квантовыми
слой
точек
энергию
точками
потоке
процессе
размер
т.е
температура
выращивания
дефектов
материала
методом
образования
образцы
размерам
росту
упругой
энергия
гетероструктурах
гетероструктуры
изменение
кластеров
легирования
механизму
мос
примесей
путем
самоорганизации
системы
слоев
температуре
формирования
Tahun:
2001
Bahasa:
russian
Fail:
PDF, 503 KB
Tag anda:
0
/
5.0
russian, 2001
4
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Байдусь Н.В.
,
Звонков Б.Н.
слоя
роста
inas
островков
gaas
поверхности
энергии
гетероструктур
подложки
покровного
рис
массива
островка
поверхностной
квантовых
размера
квантовыми
слой
точек
энергию
точками
потоке
процессе
размер
т.е
температура
выращивания
дефектов
материала
методом
образования
образцы
размерам
росту
упругой
энергия
гетероструктурах
гетероструктуры
изменение
кластеров
легирования
механизму
мос
примесей
путем
самоорганизации
системы
слоев
температуре
формирования
Tahun:
2001
Bahasa:
russian
Fail:
PDF, 505 KB
Tag anda:
0
/
0
russian, 2001
1
Ikuti
pautan ini
atau cari bot "@BotFather" dalam Telegram
2
Hantar arahan /newbot
3
Berikan nama untuk bot anda
4
Berikan nama pengguna untuk bot
5
Salin mesej terbaharu daripada BotFather dan tampalkannya di sini
×
×